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希華晶振,SHO-3225晶振,3225晶振

頻率：2.5 ~ 60 MHz

尺寸：3.2 x 2.5 x 0.9mm

希華晶振,SHO-3225晶振,3225晶振,

小型貼片石英晶振主要采用了,先進(jìn)的晶片的拋光工藝技術(shù),是晶體行業(yè)中石英晶片研磨技術(shù)中表面處理的最高技術(shù),最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,大大的降低諧振電阻,使精度得到了很大的提升.改變了傳統(tǒng)的生產(chǎn)工藝,使產(chǎn)品在各項(xiàng)參數(shù)得到了很大的改良.,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購(gòu)熱線：0755-27876201

希華晶振導(dǎo)入先進(jìn)微機(jī)電制程創(chuàng)新研發(fā)技術(shù)

敏銳地掌握電子產(chǎn)品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發(fā)展主流，致力于開發(fā)小型化、高頻與光電領(lǐng)域等產(chǎn)品，與日本同業(yè)并駕齊驅(qū)。且深耕微機(jī)電(MEMS)技術(shù)領(lǐng)域，加速導(dǎo)入TF SMD Crystal的量產(chǎn)，藉以擴(kuò)大公司營(yíng)收規(guī)模并且提升獲利空間。

藉由臺(tái)灣、日本、大陸三地的產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)與制程資源整合，不斷開發(fā)創(chuàng)新及制程改造，以全系列完整產(chǎn)品線，來滿足客戶對(duì)石英元件多樣化的需求。積極地透過產(chǎn)學(xué)合作與配合國(guó)外技術(shù)引進(jìn)開發(fā)新產(chǎn)品，多角化經(jīng)營(yíng)、擴(kuò)大市場(chǎng)領(lǐng)域，此亦為公司得以永續(xù)經(jīng)營(yíng)的方針。

隨著科技數(shù)碼產(chǎn)品的小型化發(fā)展,晶體元件的尺寸也從最初的插件龐大體積演變成目前的多種規(guī)格SMD小尺寸趨勢(shì),目前晶體內(nèi)部的石英晶片已經(jīng)達(dá)到了+-0.002mm以內(nèi)了,由于很多晶振廠家在生產(chǎn)小尺寸時(shí)所產(chǎn)生的問題,晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng),面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng),從而造成如若晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確,使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致晶片不能正常工作,在隨著長(zhǎng)時(shí)間的研究目前小尺寸的晶體已完全走入了成熟的階段.那么為什么越來越多的晶體企業(yè)都著手向汽車電子市場(chǎng)進(jìn)軍呢,然而汽車電子的要求也比科技數(shù)碼產(chǎn)品高的多,特別是耐溫這塊,都有一定的要求值,比如:3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

項(xiàng)目	符號(hào)	SHO-3225晶振規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f0	2.5 ~ 60 MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	VCC	+1.8, +2.5, +3.0V, +3.3V DC±10%	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40℃ to +85℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://m.szsljgds.com
		H: -30℃ to +75℃

頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±10× 10-6
		L: ±15× 10-6

功耗	ICC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	VOH	VCC-0.4V Min.
輸出電壓	VOL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15pF
輸入電壓	VIH	90% VCC Max.	ST 終端
輸入電壓	VIL	10 % VCC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

SHO-3225 3225 OSC

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。希華晶振,SHO-3225晶振,有源晶振。

希華晶振環(huán)保方針:

希華晶振科技股份有限公司，依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊(cè)’，以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍，包括任何排除之細(xì)節(jié)及調(diào)整，并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對(duì)應(yīng)關(guān)系，包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述。本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動(dòng)、產(chǎn)品及服務(wù)。

希華晶振科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動(dòng)執(zhí)行，以整合內(nèi)部資源，奠定經(jīng)營(yíng)管理的基礎(chǔ)。藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè)，環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段，合理化推動(dòng)環(huán)境/安衛(wèi)管理，落實(shí)環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實(shí)施。